Rohm Semiconductor - SCT3120ALGC11

KEY Part #: K6416110

SCT3120ALGC11 Prezos (USD) [12256unidades de stock]

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Número de peza:
SCT3120ALGC11
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT3120ALGC11 Atributos do produto

Número de peza : SCT3120ALGC11
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 3.33mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 38nC @ 18V
Vgs (máximo) : +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 460pF @ 500V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 103W (Tc)
Temperatura de operación : 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247N
Paquete / Estuche : TO-247-3

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