Número de peza :
SCT3120ALGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 3.33mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
460pF @ 500V
Disipación de potencia (máx.) :
103W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247N
Paquete / Estuche :
TO-247-3