SQR70090ELR_GE3 Prezos (USD) [51954unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQR70090ELR_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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SQR70090ELR_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQR70090ELR_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
86A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252)
Paquete / Estuche :
TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
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