Vishay Siliconix - IRFD014

KEY Part #: K6414891

[12598unidades de stock]


    Número de peza:
    IRFD014
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD014 Atributos do produto

    Número de peza : IRFD014
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.7A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 310pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.3W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    Paquete / Estuche : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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