Descrición :
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
325pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die Outline (5-Solder Bar)