S1B-E3/5AT Prezos (USD) [1784418unidades de stock]
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- 15,000 pcs$0.01511
- Número de peza:
- S1B-E3/5AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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S1B-E3/5AT Atributos do produto
Número de peza :
S1B-E3/5AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 1A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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Pezas quentes
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- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
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- STTH8L06DIRG
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- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
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- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18