Infineon Technologies - BSC032N03S

KEY Part #: K6409995

[89unidades de stock]


    Número de peza:
    BSC032N03S
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BSC032N03S electronic components. BSC032N03S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC032N03S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC032N03S Atributos do produto

    Número de peza : BSC032N03S
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
    Serie : OptiMOS™
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 100A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 70µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 39nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5080pF @ 15V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-TDSON-8
    Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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