FCH041N65EFLN4 Prezos (USD) [9061unidades de stock]
- 1 pcs$4.54803
- Número de peza:
- FCH041N65EFLN4
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- SF2 650V 44MOHM F TO2474L.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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FCH041N65EFLN4 Atributos do produto
Número de peza :
FCH041N65EFLN4
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
SF2 650V 44MOHM F TO2474L
Serie :
FRFET®, SuperFET® II
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
76A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 7.6mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
298nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
12560pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
595W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-4
Paquete / Estuche :
TO-247-4
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