IXFT12N100F Prezos (USD) [7792unidades de stock]
- 1 pcs$6.45185
- 10 pcs$5.86572
- 100 pcs$4.98586
- 500 pcs$4.25265
- Número de peza:
- IXFT12N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFT12N100F Atributos do produto
Número de peza :
IXFT12N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Serie :
HiPerRF™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-268 (IXFT)
Paquete / Estuche :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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