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- Número de peza:
- PMWD19UN,518
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMWD19UN,518 electronic components. PMWD19UN,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMWD19UN,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMWD19UN,518 Atributos do produto
Número de peza :
PMWD19UN,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
28nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1478pF @ 10V
Potencia: máx :
2.3W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSSOP
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