Taiwan Semiconductor Corporation - ES1JL R3G

KEY Part #: K6452645

ES1JL R3G Prezos (USD) [820434unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04508

Número de peza:
ES1JL R3G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1JL R3G Atributos do produto

Número de peza : ES1JL R3G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : Sub SMA
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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