IXYS - IXTT30N50P

KEY Part #: K6395155

IXTT30N50P Prezos (USD) [14299unidades de stock]

  • 1 pcs$3.33078
  • 30 pcs$3.31421

Número de peza:
IXTT30N50P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXTT30N50P electronic components. IXTT30N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT30N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT30N50P Atributos do produto

Número de peza : IXTT30N50P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Serie : PolarHV™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4150pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 460W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA