STMicroelectronics - STP18N60DM2

KEY Part #: K6397379

STP18N60DM2 Prezos (USD) [31382unidades de stock]

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Número de peza:
STP18N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 12A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP18N60DM2 Atributos do produto

Número de peza : STP18N60DM2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 600V 12A
Serie : MDmesh™ DM2
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 800pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 90W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220
Paquete / Estuche : TO-220-3