Vishay Semiconductor Diodes Division - SS3H10HE3_A/I

KEY Part #: K6443984

[2605unidades de stock]


    Número de peza:
    SS3H10HE3_A/I
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS3H10HE3_A/I Atributos do produto

    Número de peza : SS3H10HE3_A/I
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
    Serie : Automotive, AEC-Q101
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Schottky
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 800mV @ 3A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : -
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 20µA @ 100V
    Capacitancia @ Vr, F : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
    Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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