Número de peza :
TPH6R004PL,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
87A (Ta), 49A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta), 81W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN