VMO580-02F Prezos (USD) [701unidades de stock]
- 1 pcs$69.48370
- 10 pcs$64.94178
- 25 pcs$62.67126
- Número de peza:
- VMO580-02F
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 580A MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS VMO580-02F electronic components. VMO580-02F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VMO580-02F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VMO580-02F Atributos do produto
Número de peza :
VMO580-02F
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
580A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2750nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Y3-Li
Paquete / Estuche :
Y3-Li
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