Número de peza :
2SJ661-1E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 38A
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
38A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 19A, 10V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
80nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4360pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262-3
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA