DMT5015LFDF-7 Prezos (USD) [377634unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMT5015LFDF-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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DMT5015LFDF-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMT5015LFDF-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
50V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
902.7pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
820mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-UDFN2020 (2x2)
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad
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