Infineon Technologies - IRFR4104TRPBF

KEY Part #: K6402024

IRFR4104TRPBF Prezos (USD) [106348unidades de stock]

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Número de peza:
IRFR4104TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4104TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRFR4104TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 42A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2950pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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