DMN1017UCP3-7 Prezos (USD) [392732unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN1017UCP3-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Finalidade especial ...
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DMN1017UCP3-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN1017UCP3-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 3.3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 3.3V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1503pF @ 6V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.47W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
X3-DSN1010-3
Paquete / Estuche :
3-XDFN
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3