EPC2110ENGRT Prezos (USD) [91507unidades de stock]
- 1 pcs$0.45551
- 2,500 pcs$0.45324
- Número de peza:
- EPC2110ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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EPC2110ENGRT Atributos do produto
Número de peza :
EPC2110ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrición :
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
80pF @ 60V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
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