ON Semiconductor - NTMSD2P102R2

KEY Part #: K6409034

[421unidades de stock]


    Número de peza:
    NTMSD2P102R2
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMSD2P102R2 Atributos do produto

    Número de peza : NTMSD2P102R2
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.3A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : -
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 750pF @ 16V
    Función FET : Schottky Diode (Isolated)
    Disipación de potencia (máx.) : -
    Temperatura de operación : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOIC
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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