SIA485DJ-T1-GE3 Prezos (USD) [412515unidades de stock]
- 1 pcs$0.08966
- Número de peza:
- SIA485DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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SIA485DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIA485DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
155pF @ 75V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
15.6W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6
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