Diodes Incorporated - DMP2075UVT-7

KEY Part #: K6394127

DMP2075UVT-7 Prezos (USD) [882693unidades de stock]

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Número de peza:
DMP2075UVT-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2075UVT-7 Atributos do produto

Número de peza : DMP2075UVT-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 642pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.2W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TSOT-26
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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