TK35N65W5,S1F Prezos (USD) [13802unidades de stock]
- 1 pcs$4.00596
- Número de peza:
- TK35N65W5,S1F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Unión programable ...
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TK35N65W5,S1F Atributos do produto
Número de peza :
TK35N65W5,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
115nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4100pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
270W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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