FDP4D5N10C Prezos (USD) [25909unidades de stock]
- 1 pcs$1.59065
- Número de peza:
- FDP4D5N10C
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- FET ENGR DEV-NOT REL.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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FDP4D5N10C Atributos do produto
Número de peza :
FDP4D5N10C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
FET ENGR DEV-NOT REL
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
128A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 310µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5065pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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