FDFMA3N109 Prezos (USD) [296432unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDFMA3N109
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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FDFMA3N109 Atributos do produto
Número de peza :
FDFMA3N109
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
220pF @ 15V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad
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