IPB011N04LGATMA1 Prezos (USD) [37541unidades de stock]
- 1 pcs$1.04153
- Número de peza:
- IPB011N04LGATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Unión programable ...
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IPB011N04LGATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPB011N04LGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
346nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
29000pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-7-3
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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