Número de peza :
SCT3105KLGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
137 mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 3.81mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
51nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
574pF @ 800V
Disipación de potencia (máx.) :
134W
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247N
Paquete / Estuche :
TO-247-3