RGT8NS65DGTL Prezos (USD) [166793unidades de stock]
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- Número de peza:
- RGT8NS65DGTL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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RGT8NS65DGTL Atributos do produto
Número de peza :
RGT8NS65DGTL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
8A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
12A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 4A
Potencia: máx :
65W
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
13.5nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
17ns/69ns
Condición da proba :
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
40ns
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
LPDS (TO-263S)
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