APT40GP60B2DQ2G Prezos (USD) [7172unidades de stock]
- 1 pcs$6.83085
- 10 pcs$6.21123
- 25 pcs$5.74549
- 100 pcs$5.27967
- 250 pcs$4.81382
- Número de peza:
- APT40GP60B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 600V 100A 543W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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APT40GP60B2DQ2G Atributos do produto
Número de peza :
APT40GP60B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
PT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
160A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 40A
Potencia: máx :
543W
Enerxía de conmutación :
385µJ (on), 350µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
135nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
20ns/64ns
Condición da proba :
400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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