ON Semiconductor - NVMFS5C604NLWFAFT3G

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Número de peza:
NVMFS5C604NLWFAFT3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C604NLWFAFT3G Atributos do produto

Número de peza : NVMFS5C604NLWFAFT3G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 287A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 52nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 8900pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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