IPD65R650CEATMA1 Prezos (USD) [2905unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD65R650CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IPD65R650CEATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD65R650CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.1A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
440pF @ 100V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
86W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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