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- Número de peza:
- MBR60030CTRL
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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MBR60030CTRL Atributos do produto
Número de peza :
MBR60030CTRL
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Configuración do diodo :
1 Pair Common Anode
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
30V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
580mV @ 300A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3mA @ 30V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Twin Tower
Paquete de dispositivos de provedores :
Twin Tower
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