STMicroelectronics - STGF15M65DF2

KEY Part #: K6422318

STGF15M65DF2 Prezos (USD) [36964unidades de stock]

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Número de peza:
STGF15M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGF15M65DF2 Atributos do produto

Número de peza : STGF15M65DF2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 30A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 60A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 15A
Potencia: máx : 31W
Enerxía de conmutación : 90µJ (on), 450µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 45nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 24ns/93ns
Condición da proba : 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : 142ns
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220FP

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