IRF7341PBF Prezos (USD) [3768unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF7341PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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IRF7341PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7341PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
740pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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