Número de peza :
STB7NK80Z-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1138pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA