NVMFS5832NLWFT1G Prezos (USD) [2580unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVMFS5832NLWFT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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NVMFS5832NLWFT1G Atributos do produto
Número de peza :
NVMFS5832NLWFT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.7W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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