IPS80R600P7AKMA1 Prezos (USD) [50279unidades de stock]
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- 10 pcs$0.69028
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- 500 pcs$0.43131
- 1,000 pcs$0.33806
- Número de peza:
- IPS80R600P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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IPS80R600P7AKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPS80R600P7AKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
570pF @ 500V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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