Infineon Technologies - IPD70R600CEAUMA1

KEY Part #: K6420709

IPD70R600CEAUMA1 Prezos (USD) [236045unidades de stock]

  • 1 pcs$0.15670
  • 2,500 pcs$0.14383

Número de peza:
IPD70R600CEAUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH TO252-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IPD70R600CEAUMA1 electronic components. IPD70R600CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD70R600CEAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD70R600CEAUMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPD70R600CEAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH TO252-3
Serie : CoolMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 0.21mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 474pF @ 100V
Función FET : Super Junction
Disipación de potencia (máx.) : 86W (Tc)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO252-3
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Tamén pode estar interesado