Número de peza :
GA20JT12-263
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 1200V 45A
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
45A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 20A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3091pF @ 800V
Disipación de potencia (máx.) :
282W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK (7-Lead)
Paquete / Estuche :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA