Vishay Siliconix - SUM36N20-54P-E3

KEY Part #: K6408535

[594unidades de stock]


    Número de peza:
    SUM36N20-54P-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUM36N20-54P-E3 Atributos do produto

    Número de peza : SUM36N20-54P-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 36A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V, 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 20A, 15V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 127nC @ 15V
    Vgs (máximo) : ±25V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3100pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3.12W (Ta), 166W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-263 (D2Pak)
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB