ON Semiconductor - FDMS4D0N12C

KEY Part #: K6397356

FDMS4D0N12C Prezos (USD) [29645unidades de stock]

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Número de peza:
FDMS4D0N12C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
PTNG 120V N-FET PQFN56.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS4D0N12C Atributos do produto

Número de peza : FDMS4D0N12C
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : PTNG 120V N-FET PQFN56
Serie : PowerTrench®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 370A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 6460pF @ 60V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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