FDMS4D0N12C Prezos (USD) [29645unidades de stock]
- 1 pcs$1.39026
- Número de peza:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- PTNG 120V N-FET PQFN56.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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FDMS4D0N12C Atributos do produto
Número de peza :
FDMS4D0N12C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
PTNG 120V N-FET PQFN56
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 370A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6460pF @ 60V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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