IPG20N06S4L11ATMA1 Prezos (USD) [101237unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L11ATMA1 electronic components. IPG20N06S4L11ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L11ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG20N06S4L11ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 28µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4020pF @ 25V
Potencia: máx :
65W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8-4
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