IRF200P223 Prezos (USD) [8674unidades de stock]
- 1 pcs$4.75075
- 400 pcs$3.10154
- Número de peza:
- IRF200P223
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF200P223 electronic components. IRF200P223 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF200P223, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF200P223 Atributos do produto
Número de peza :
IRF200P223
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Serie :
StrongIRFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
102nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5094pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
313W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AC
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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