IXYS - IXTT10N100D2

KEY Part #: K6395169

IXTT10N100D2 Prezos (USD) [8899unidades de stock]

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Número de peza:
IXTT10N100D2
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT10N100D2 Atributos do produto

Número de peza : IXTT10N100D2
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 200nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5320pF @ 25V
Función FET : Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) : 695W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA