Número de peza :
RS1G180MNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Ta), 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
19.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1293pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN