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- Número de peza:
- EPC2101ENG
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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EPC2101ENG Atributos do produto
Número de peza :
EPC2101ENG
Fabricante :
EPC
Descrición :
GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
300pF @ 30V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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