TP65H050WS Prezos (USD) [5775unidades de stock]
- 1 pcs$7.13493
- Número de peza:
- TP65H050WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 34A TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Ventaxa competitiva:
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TP65H050WS Atributos do produto
Número de peza :
TP65H050WS
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
34A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1000pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
119W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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