ON Semiconductor - RFD12N06RLESM9A

KEY Part #: K6403222

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Número de peza:
RFD12N06RLESM9A
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD12N06RLESM9A Atributos do produto

Número de peza : RFD12N06RLESM9A
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Serie : UltraFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 485pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 49W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252AA
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63