SSM3K35AMFV,L3F Prezos (USD) [2750629unidades de stock]
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- Número de peza:
- SSM3K35AMFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
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SSM3K35AMFV,L3F Atributos do produto
Número de peza :
SSM3K35AMFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Serie :
U-MOSIII
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
250mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.34nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
36pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VESM
Paquete / Estuche :
SOT-723
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